diffusion impurity中文是什么意思

發(fā)音:

中文翻譯
造句

擴(kuò)散雜質(zhì)

diffusion n. 1.散布，發(fā)散。 2.傳播，普及。 3.冗長。 4 ...
impurity n. 〔常用 pl.〕 1.不純，不潔。 2.下流，不道 ...
impurity diffusion 雜質(zhì)擴(kuò)散
diffusion impurity source 擴(kuò)散雜質(zhì)源
impurity diffusion coefficient 雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)
impurity self-diffusion coefficient 雜質(zhì)自擴(kuò)散系數(shù)
diffusion n. 1.散布，發(fā)散。 2.傳播，普及。 3.冗長。 4.【化學(xué)】滲濾。 5.【物理學(xué)】擴(kuò)散，漫射。 the diffusion of knowledge 知識的傳播。 diffusion of speech 演說的冗長。 diffusion of light 光線的漫射。
in diffusion 向內(nèi)擴(kuò)散
a orption impurity 吸收雜質(zhì)
absorption impurity 吸收雜質(zhì); 吸收沾染
acceptor impurity 受素不純物; 受體雜質(zhì); 受鐘質(zhì); 受主雜質(zhì)
accompanying impurity 伴生雜質(zhì)
active impurity 活性雜質(zhì)
amphoteric impurity 兩性雜質(zhì)
anode impurity 陽極雜質(zhì)
anodic impurity 陽極雜質(zhì)
applied impurity 羊毛外加雜質(zhì)
atomic impurity 原子型雜質(zhì)
background impurity 本底雜質(zhì)
band impurity 譜帶雜質(zhì)
base impurity 基區(qū)雜質(zhì)
chemical impurity 化學(xué)的不純物; 化學(xué)雜質(zhì)
chief impurity 主要雜質(zhì)
chloride impurity 氯化物雜質(zhì)

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例句與用法

At the initial stage of planar technique , b was employed as ideal diffusion impurity in base - region of npn si planar devices because of the match of its solid - solubility and diffusion coefficient in si with those of p in emission - region , and the good shield effect of sio2 film to b . but because of the relatively large solubility ( 5 1020 / cm3 at 1000 ) and the small diffusion coefficient , the linear slowly - changed distribution of acceptor b in pn junction can not be formed , which could not cater to the requirement of high - reversal - voltage devics . thereafter b - a1 paste - layer diffusion technology and close - tube ga - diffusion technology had been developed , while the former can lead to relatively large the base - region deviation and abruptly varied region in si , which caused severe decentralization of current amplification parameter , bad thermal stability and high tr ; the latter needed the relatively difficult pack technique , with poor repeatability , high rejection ratio , and poor diffusion quality and productio n efficiency
在平面工藝初期，由于b在硅中的固溶度、擴(kuò)散系數(shù)與n型發(fā)射區(qū)的磷相匹配， sio _ 2對其又有良好的掩蔽作用，早被選為npn硅平面器件的理想基區(qū)擴(kuò)散源，但b在硅中的固溶度大( 1000時達(dá)到5 10 ~ ( 20 ) ，擴(kuò)散系數(shù)小， b在硅中的雜質(zhì)分布不易形成pn結(jié)中雜質(zhì)的線性緩變分布，導(dǎo)致器件不能滿足高反壓的要求，隨之又出現(xiàn)了硼鋁涂層擴(kuò)散工藝和閉管擴(kuò)鎵工藝，前者會引起較大的基區(qū)偏差，雜質(zhì)在硅內(nèi)存在突變區(qū)域，導(dǎo)致放大系數(shù)分散嚴(yán)重，下降時間t _ f值較高，熱穩(wěn)定性差；后者需要難度較大的真空封管技術(shù)，工藝重復(fù)性差，報廢率高，在擴(kuò)散質(zhì)量、生產(chǎn)效率諸方面均不能令人滿意。

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